Si基板上のAlGaN/GaN HEMT技術

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD13043

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2013/03/08

タイトル(英語): Technology of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on Si Substrate

著者名: 分島 彰男(名古屋工業大学),江川 孝志(名古屋工業大学)

著者名(英語): Wakejima Akio(Nagoya Institute of Technology),Egawa Takashi(Nagoya Institute of Technology)

キーワード: 窒化物半導体|トランジスタ|Ｓｉ基板|有機金属気層成長|高移動度トランスタ|GaN|Transistor|Si substrtate|MOCVD|HEMT

要約(日本語): Si基板上の窒化物半導体結晶成長技術とそのエピ結晶を用いた AlGaN/GaN HEMTの諸特性について報告する。

要約(英語): Developments of heteroepitaxial growth and characteristics of an AlGaN/GaN HEMT on a Si substrate are reported.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 7,758 Kバイト