ALDにより成膜したAl2O3を用いたMIS構造GaNデバイスの電気特性

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD13044

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2013/03/08

タイトル：ALDにより成膜したAl₂O₃を用いたMIS構造GaNデバイスの電気特性

タイトル(英語): Electrical Properties of GaN MIS-Devices with Al2O3 Deposited by ALD

著者名: 久保 俊晴(名古屋工業大学),フリーズマン ジョセフ(名古屋工業大学),岩田 康宏(名古屋工業大学),江川 孝志(名古屋工業大学)

著者名(英語): Kubo Toshiharu(Nagoya Institute of Technology),Freedsman Joseph(Nagoya Institute of Technology),Iwata Yasuhiro(Nagoya Institute of Technology),Egawa Takashi(Nagoya Institute of Technology)

キーワード: 窒化ガリウム|ＭＩＳ|Ａｌ２Ｏ３|原子層堆積|界面|GaN|MIS|Al2O3|ALD|interface

要約(日本語): GaN系MIS構造デバイスに用いる絶縁膜としてAl2O3に着目し、ALDにより成膜したAl2O3を用いてMIS-diodeおよびMIS-HEMTを作製し、その電気特性をC-VおよびI-V測定により評価した。ALDでは酸素供給源として水が用いられることが多いが、オゾンにより酸化膜中のHが減少することが報告されているため、本研究では水およびオゾンの両方を酸素供給源として用いた。

要約(英語): As an insulator for MIS structures, Al2O3 was focused, and MIS-diodes and MIS-HEMTs were fabricated with Al2O3 deposited by ALD. The electrical properties of these devices were investigated by C-V and I-V measurements. In this study, water and ozone were used as oxygen precursors because it has been reported that the H content in oxides can be decreased by using ozone.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 5,186 Kバイト