キャリア注入制御技術の開発によるPNM-IGBTの高速スイッチング化

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD13046,SPC13108

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2013/10/21

タイトル(英語): Injection Control Technique for High Speed Switching with a double gate PNM-IGBT

著者名: 坂根 宏樹(デンソー),住友 正清(デンソー),荒川 和樹(デンソー),樋口 安史(デンソー),浅井 淳一(デンソー)

著者名(英語): HIROKI SAKANE(DENSO CORPORATION),Masakiyo Sumitomo(DENSO CORPORATION),Kazuki Arakawa(DENSO CORPORATION),Yasushi Higuchi(DENSO CORPORATION),Junichi Asai(DENSO CORPORATION)

キーワード: 部分狭メサ|ＩＧＢＴ|高速スイッチング|注入効率|低オン電圧|注入制御|PNM-IGBT|Injection control|High-speed switching|low saturation voltage|IGBT|Injection efficiency

要約(日本語): 我々は特徴的な表面構造により注入効率を極限まで高め、オン電圧を大幅に低減可能なPNM-IGBTを開発した。しかし、本デバイスでは増大した注入キャリアの掃き出し時間により過渡損失が増加するという背反がある。今回は、新規な制御方法との組み合わせによる高速スイッチングと低オン電圧の両立について報告する。この新規制御により、デバイス内のキャリア分布を外部的に制御することに成功した。結果として、低オン電圧を維持したまま30%過渡損失が低減可能であることを確認した。

要約(英語): We developed PNM-IGBT that can perform very low saturation voltage by its great injection enhancement effect. However, it is accompanied by a slight increase in turn-off losses. In this paper, we propose a fundamentally new IGBT control technique that can diminish this increase while keeping very low saturation voltage.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 543 Kバイト