1200V系IGBTの高速化に向けたキャリア制御法の検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD13047,SPC13109

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2013/10/21

タイトル(英語): Carrier extraction control for high-speed switching in 1200V IGBT

著者名: 下條 亮平(東芝　セミコンダクター＆ストレージ社),小倉 常雄(東芝　セミコンダクター＆ストレージ社),三須 伸一郎(東芝　セミコンダクター＆ストレージ社),中村 和敏(東芝　セミコンダクター＆ストレージ社),安原 紀夫(東芝　セミコンダクター＆ストレージ社),高野 彰夫(東芝　セミコンダクター＆ストレージ社)

著者名(英語): Ryohei Gejo(Toshiba Corporation Semicoductor & Storage Products Company),Tsuneo Ogura(Toshiba Corporation Semicoductor & Storage Products Company),Shinichiro Misu(Toshiba Corporation Semicoductor & Storage Products Company),Kazutoshi Nakamura(Toshiba Corp

キーワード: ＩＧＢＴ|パワーデバイス|高速化|低損失化|ターンオフ|キャリア排出

要約(日本語): 1200V系IGBTの高速化へ向け、オン状態のキャリア蓄積量とターンオフ時のキャリア排出速度の関係を検討した。IE効果によるキャリア蓄積はオン電圧を低減できるが、過剰な蓄積はキャリア排出速度を低下させ、スイッチング損失を低減できない。そのため、オン状態のキャリア蓄積量を制御し、ターンオフ時のキャリア排出を促進した構造を提案する。この構造はdv/dt制御によりIGBTの高速化に有効なことがわかった。

要約(英語): This paper clarifies relation between carrier distribution at on-state and carrier extraction during turn-off transition for high-speed switching in 1200V IGBT. High carrier accumulation enables reduction of on-state voltage, but it prevents improvement in turn-off power dissipation because of slowing down of carrier extraction speed. Therefore, we found controlled carrier extraction structure is effective for high-speed switching.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 881 Kバイト