MOSFETモードIGBTにおける負荷短絡時の電流集中

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD13048,SPC13110

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2013/10/21

タイトル(英語): Current filamentation during short-circuit failure of MOSFET-mode IGBT

著者名: 中川 明夫(中川コンサルティング事務所),田中 雅浩(日本シノプシス)

著者名(英語): AKIO NAKAGAWA(Nakagawa Consulting Office, LLC.),Masahiro Tanaka(Nihon Synopsys G.K.)

キーワード: ＩＧＢＴ|負荷短絡|破壊|電流集中|インパクトイオン化|IGBT|short-circuit|failure|current filament|impact ionization

要約(日本語): アノードの注入効率が低く、電子電流と正孔電流の比が移動度の比よりも大きい状態で動作するIGBT（MOSFETモード動作）は負荷短絡時にアノード側に高電界が生じ破壊耐量が下がる実験結果が報告されている。今回、このようなIGBTをTCADを用いて解析したところチャネル電子電流が一様に流れている場合でも電流集中が起き、破壊に至る事がわかったので報告する。

要約(英語): The short-circuit withstanding capability was degraded for IGBTs, whose anode efficiency is low and the ratio of electron current over hole current is greater than the mobility ratio. By analyzing the short-circuit operation of the IGBT using TCAD, we found the failure is caused by current filament even under the homogeneous channel current flow.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,977 Kバイト