金属-半導体接触理論の疑問と新たな考察

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD13052,SPC13114

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2013/10/21

タイトル(英語): Problems and a Proposal on the Metal-Semiconductor Contact Theory

著者名: 高田 育紀(東京工業大学)

著者名(英語): Ikunori Takata(Tokyo Institute of Technology)

キーワード: ショトキー接触|オーミック接触|従来理論|新しいモデル|Schottky contact|Ohmic contact|conventional theory|new model

要約(日本語): ショトキー接触とオーミック接触の従来理論を概説して、_x000D_ (1)その問題点を明らかにする。_x000D_ (2)実態に沿ったこれらの新しいモデルを提示する。

要約(英語): First, the traditional theory on the metal-semiconductor contact would be reviewed roughly. _x000D_ Although the theory says that these contacts could be distinguished between the Schottky contact and the Ohmic contact by the relative largeness of their work functions (Φm - Φs), it can not explain experimental data. _x000D_ Second, the author would like to propose a new model, that could be summarized as following. _x000D_ (I.) Schottky contact: the Ei usually agreed with the metal's Fermi level EFs. _x000D_ (II.) Ohmic contact: the EFs coincided with the Ec in n^+ type semiconductor or the Ev in p^+ type semiconductor._x000D_ (III.) Carrier densities at the contact were kept as the thermal equilibrium values. _x000D_ (IV.) Carriers moved by drift-diffusion mechanism.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 659 Kバイト