SiCパワーデバイスの高速・高周波スイッチングにむけた電力変換回路の課題

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD13053,SPC13115

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2013/10/21

タイトル(英語): Difficulties in fast and high frequency switching operation of SiC power device to apply for power conversion circuit

著者名: 舟木 剛(大阪大学)

著者名(英語): Funaki Tsuyoshi(Osaka University)

キーワード: ＳｉＣ|スイッチング|電力変換回路

要約(日本語): SiC半導体により高耐圧・低抵抗のユニポーラデバイスが実現された。ユニポーラデバイスは少数キャリアの蓄積が無いため高速なスイッチング動作が可能であるが，高耐圧の高速スイッチングにともない種々のEMC課題が生じる。本稿では，SiCパワーデバイスの高速・高周波スイッチング動作により生じる課題について述べる。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,668 Kバイト