SiC-MOSFET/SBDモジュールを用いた750 V, 100 kW, 20 kHz双方向絶縁形DC/DCコンバータ

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD13054,SPC13116

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2013/10/21

タイトル(英語): The 750-V, 100-kW, 20-kHz Bidirectional Isolated DC/DC Converter Using SiC-MOSFET/SBD Modules.

著者名: 山岸 達也(東京工業大学),赤木 泰文(東京工業大学),木ノ内 伸一(三菱電気株式会社),宮崎 祐二(三菱電気株式会社)

著者名(英語): Tatsuya Yamagishi(Tokyo Institute of Technology),Hirofumi Akagi(Tokyo Institute of Technology),Shin-ichi Kinouchi(Mitsubishi Electric Corporation),Yuji Miyazaki(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: 双方向絶縁形ＤＣ／ＤＣコンバータ|ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ|変換効率|デッドタイム|スナバ損失|Bidirectional isolated dc/dc converter|SiC-MOSFET|conversion efficiency|dead time|snubber loss

要約(日本語): 本論文では，SiC-MOSFETを適用した750~V, 100~kW, 20~kHz双方向絶縁形DC/DCコンバータを設計・製作し，損失と効率を実測した。_x000D_ 実験結果と実用的な仮定に基づく損失解析を行い，DC/DCコンバータの全損失を５種類の損失に分離した。_x000D_ また，スイッチング時の電流値とZVS動作が可能なデッドタイムの関係について検討した。

要約(英語): This paper describes the 750-V, 100-kW, 20-kHz bidirectional isolated dc/dc converter using SiC-MOSFET/SBD modules_x000D_ with focus on conversion efficiency and power-loss breakdown. The overall maximum efficiency from the dc-input to dc-output terminals_x000D_ is accurately measured to be as high as 98.7\%, excluding gate-drive and control circuit losses from the overall power loss._x000D_ A power-loss breakdown at the rated operation is carried out from experimental results. Moreover, this paper provides theoretical and_x000D_ experimental discussions on a range of dead times to achieve zero-voltage switching (ZVS).

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 811 Kバイト