ゲートドライブ補助回路によるMOSFETの高効率高速スイッチング法

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD13058,SPC13120

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2013/10/21

タイトル(英語): High-Efficiency and High-Speed Switching Method of MOSFET Using Gate Drive Auxiliary Circuit

著者名: 村田 宗洋(静岡大学大学院),野口 季彦(静岡大学)

著者名(英語): Munehiro Murata(Shizuoka University),Toshihiko Noguchi(Shizuoka University)

キーワード: ＭＯＳＦＥＴ|高速スイッチング|高効率スイッチング|補助回路|チョッパ|インバータ|MOSFET|high-speed switching |high-efficiency switching|auxiliary circuit|chopper|inverter

要約(日本語): 本稿ではゲートドライブ補助回路を用いてMOSFETのターンオフ時間を短縮する手法を提案する。チョッパとハーフブリッジインバータに適用し，チョッパで実際のオンディーティサイクルを14.4pt，ハーフブリッジインバータで効率を9pt改善できることを実験で確認した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,204 Kバイト