デバイスのリンギング周波数と伝導ノイズに関する一考察

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD13059,SPC13121

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2013/10/21

タイトル(英語): A Consideration about the Ringing Frequency of the Devices and Conductive Noise

著者名: 金澤 康樹(島根大学),石原 將貴(島根大学),侯 虎翼(島根大学),七森 公碩(島根大学),西垣 彰紘(島根大学),吉田 尭(島根大学),山本 真義(島根大学)

著者名(英語): Yasuki Kanazawa(Shimane University),Masataka Ishihara(Shimane University),Hou Huyi(Shimane University),Kimihiro Nanamori(Shimane University),Akihiro Nishigaki(Shimane University),Takashi Yoshida(Shimane University),Masayoshi Yamamoto(Shimane University)

キーワード: ＭＯＳ　ＦＥＴ|ＩＧＢＴ|ＳｉＣ－ＭＯＳ　ＦＥＴ|ハーフブリッジ回路|リンギング周波数|伝導ノイズ|MOS FET|IGBT|SiC-MOS FET|Half bridge circuit|Ringing frequency|Conductive noise

要約(日本語): 次世代パワーデバイス用いることで，低損失化やスイッチング周波数の高周波化が可能となるが，電流変化率などが高くなり，それに伴うサージ電圧や電磁波ノイズが発生し，他機器に誤動作を引き起こさせる恐れがある。_x000D_ 　そこで本報告では，ハーフブリッジ回路を用いて，MOS FET，IGBT，SiC-MOS FETの各素子を付け替えた際に発生するリンギング周波数と伝導ノイズの関係性について実験を行ったので報告する。_x000D_

要約(英語): This paper presents noise measurements on the power semiconductor device of a half bridge circuit. First, I perform the double pulse measurement of each element and investigate the characteristic of each element. And, I calculated ringing frequency and the parasitic inductance of each element from the waveforms pattern. In addition, I calculated ringing frequency from the waveforms pattern of the conductive noise measurement circuit and understood that ringing frequency was related to the conductive noise.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 883 Kバイト