ＳＯＩパワーＭＯＳＦＥＴの高温動作特性

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD13062,SPC13124

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2013/10/21

タイトル(英語): The high temperature operation characteristics of the SOI power MOSFET

著者名: 石橋 翼(九州工業大学大学院),松本 聡(九州工業大学)

著者名(英語): Ishibashi Tsubasa(Kyushu Institute of Technology),Matsumoto Satoshi(Kyushu Institute of Technology)

キーワード: パワーＭＯＳＦＥＴ|高温動作|ＳＯＩ|寄生バイポーラ効果|Power MOSFET|Application of the high temperature|SOI|Parasitic bipolar effect

要約(日本語): 近年パワーデバイスの高温での適用が注目を集めている。薄層SOIパワーMOSFETは活性シリコン層が薄く、熱に起因するリーク電流が小さいため高温での適用に対する期待が大きい。本報告では、薄層SOIパワーMOSFETの高温での素子特性を詳細に評価した結果を述べるとともに、評価結果をもとに高温で安定動作を実現するためのの課題とその対策について報告する。

要約(英語): In recently years, high temperature applications of the power devices have attracted attention. A thin-film SOI power MOSFET is quite attractive for them because their smaller leakage current due to thin active layer. In this paper, we describe the results of the detailed evaluation of device characteristics of thin film SOI power MOSFETs at high temperature. In addition, we report design issues and countermeasures in order to achieve high thermal stability based on the experimental results.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 902 Kバイト