IGBTの帰還容量特性に基づく短絡保護回路

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD13063,SPC13125

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2013/10/21

タイトル(英語): A Protection Circuit Based on the Reverse Transfer Capacitance Characteristics for IGBTs Under Short Circuit Conditions

著者名: 岡本 昌二(東京工業大学),冨永 真志(東京工業大学),西村 正(東京工業大学),藤田 英明(東京工業大学),赤木 泰文(東京工業大学),堀口 剛司(三菱電機),木ノ内 伸一(三菱電機),大井 健史(三菱電機)

著者名(英語): Shoji Okamoto(Tokyo Institute of Technology),Shinji Tominaga(Tokyo Institute of Technology),Tadashi Nishimura(Tokyo Institute of Technology),Hideaki Fujita(Tokyo Institute of Technology),Hirofumi Akagi(Tokyo Institute of Technology),Takeshi Horiguchi(Mits

キーワード: 負荷短絡|短絡保護回路|ＩＧＢＴ|物理モデル|帰還容量|fault under load|short circuit protection|IGBT|physics-based model|reverse transfer capacitance

要約(日本語): IGBTの帰還容量には電圧依存性があるため，スイッチング動作に対して大きな影響を与えることが知られている。短絡状態に対しても，帰還容量の電圧依存性の影響がゲート電圧やゲート電流波形に現れることを利用することにより，IGBTの短絡状態を検出することができる。本発表では，帰還容量特性を利用した短絡保護回路について，IGBT物理モデルによる解析結果と実験結果について報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 872 Kバイト