回路シミュレータを用いた誤点弧メカニズムの一検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD13069,SPC13131

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2013/10/21

タイトル(英語): An Investigation of False Turn-on Mechanism with Circuit Simulator

著者名: 西垣 彰紘(島根大学),石原 將貴(島根大学),侯 虎翼(島根大学),七森 公碩(島根大学),吉田 尭(島根大学),金澤 康樹(島根大学),梅上 大勝(島根大学),服部 文哉(島根大学),山本 真義(島根大学)

著者名(英語): Akihiro Nishigaki(Shimane university),Masataka Ishihara(Shimane university),Huyi Hou(Shimane university),Kimihiro Nanamori(Shimane university),Takashi Yoshida(Shimane university),Yasuki Kanazawa(Shimane university),Hirokatsu Umegami(Shimane university),Fu

キーワード: パワーデバイス|ＧａＮ|ＳｉＣ|高周波|誤点弧|Power switching devices|Gallium nitride|Silcon carbide|High-frequency|False turn-on

要約(日本語): 現在，電力変換機器の小型軽量化に伴いスイッチング周波数の高周波化が進んでいる。そこで近年，高耐圧・高速スイッチング・低損失動作を得意とするSiCやGaNなどの次世代半導体デバイスが注目されている。しかし，これらはゲート閾値電圧が低くく，誤点弧・誤消弧の懸念がある。本報告では，回路シミュレータを用いて誤点弧・誤消弧のメカニズムについて検討を行い，リカバリー電流が原因で発生していることが判明したので報告する。

要約(英語): This paper investigates a false turn-on mechanism of a power switching devices for high-frequency. As a preliminary stage of the investigation, a MOS FET is applied to a half-bridge circuit for false turn-on mechanism analysis. And, It is evaluated by experimental comparison and simulation results. As a result, it became clear that these gate noises are caused by recovery current.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,194 Kバイト