4H-SiCのn型MOSキャパシタの空乏モードTDDB

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD13070,SPC13132

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2013/10/21

タイトル(英語): Depletion-mode TDDB for n-type MOS capacitors of 4H-SiC

著者名: 渡辺 友勝(三菱電機),日野 史郎(三菱電機),海老池 勇史(三菱電機),三浦 成久(三菱電機),今泉 昌之(三菱電機),山川 聡(三菱電機)

著者名(英語): Tomokatsu Watanabe(Mitsubishi Electric Corporation),Shiro Hino(Mitsubishi Electric Corporation),Yuji Ebiike(Mitsubishi Electric Corporation),Naruhisa Miura(Mitsubishi Electric Corporation),Masayuki Imaizumi(Mitsubishi Electric Corporation),Satoshi Yamakaw

キーワード: ４Ｈ－ＳｉＣ|ＭＯＳ|ＴＤＤＢ|転位|4H-SiC|MOS|TDDB|転位

要約(日本語): SiCのMOS構造における信頼性確保は、SiCパワーデバイスにとって依然残存する課題である。特に、DCバイアスにより空乏化されたMOS構造におけるTDDB評価はこれまで行われていない。今回我々は、n型4H-SiCのMOSキャパシタの空乏モードTDDB評価を行った。結果、評価素子は短寿命群と長寿命群に明確に分類された。また、SiCの貫通転位がゲート絶縁膜劣化を促進させることが分かった。

要約(英語): Reliability related to SiC MOS structures is a substantial problem for SiC power devices. TDDB for MOS structures depleted by DC bias has not been investigated in detail. In this work, we perform depletion-mode TDDB for n-type MOS capacitors of 4H-SiC for the first time and investigate the cause of breakdown by observing the crystalline defects.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,012 Kバイト