高耐圧IGBT向け低ノイズ駆動ゲートドライバの開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD13071,SPC13133

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2013/10/21

タイトル(英語): Development of Low-noise Gate Driver for High Voltage IGBT Module

著者名: 恩田 航平(日立製作所　日立研究所),紺野 哲豊(日立製作所　日立研究所),坂野 順一(日立製作所　日立研究所)

著者名(英語): Kohei Onda(Hitachi Research Laboratory, Hitachi Ltd),Akitoyo Konno(Hitachi Research Laboratory, Hitachi Ltd),Junichi Sakano(Hitachi Research Laboratory, Hitachi Ltd)

キーワード: ゲートドライバ|ＩＧＢＴ|ＳｉＣ－ＳＢＤ|アクティブゲート|パルストランス|Gate driver|IGBT|SiC-SBD|Active gate|Pulse transformer

要約(日本語): パルストランス通信機能およびアクティブゲート機能をICに集積化し、3.3kV IGBT向けの_x000D_ ゲートドライバを開発した。このドライバは、誤り補正機能による通信の高信頼化と、_x000D_ ゲート電圧の微分を用いた制御タイミングの自己調整機能による低損失・低ノイズ駆動を_x000D_ 実現している。3.3kV SiC-SBDハイブリッドモジュールを駆動し、従来方式と同等の損失_x000D_ でSBDの電圧変化率-70%を確認した。

要約(英語): We present a new concept of IGBT gate drivers with a blocking voltage up to 3.3kV that has a pulse transformer interface and a self-adjusting active gate control function. We fabricated a prototype gate driver and applied to a 3.3 kV/1200A SiC-SBD hybrid-module. The result shows it suppressed ringing in the SiC-SBD voltage and reduced the slew rate by 70%.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,160 Kバイト