大面積SiC-MOSFETのスイッチング動作におけるチップ内アンバランスの解析

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD13072,SPC13134

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2013/10/21

タイトル(英語): Investigation on Internally Unbalanced Switching Behavior in Large Chip-Size SiC-MOSFET

著者名: 日野 史郎(三菱電機),伊藤 正尚(三菱電機),三浦 成久(三菱電機),今泉 昌之(三菱電機),山川 聡(三菱電機)

著者名(英語): Shiro Hino(Mitsubishi Electric Corporation),Masanao Ito(Mitsubishi Electric Corporation),Naruhisa Miura(Mitsubishi Electric Corporation),Masayuki Imaizumi(Mitsubishi Electric Corporation),Satoshi Yamakawa(Mitsubishi Electric Corporation)

要約(日本語): 大面積SiC-MOSFETの実現に向け、スイッチング時に生じるチップ内のゲート電位のばらつきが動特性に与える影響を理解するために、シミュレーションとTEGの試作・評価を行った。その結果、大面積化により内部ゲート抵抗の影響が増大する問題があることと、面積あたりの内部抵抗と外部抵抗の和を一定とすることで同等のスイッチング損失が得れることが示された。活性領域1cm2のSiC-MOSFETを試作し、0.1cm2のものと同等のスイッチング損失と充分な遮断耐量を確認した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 892 Kバイト