1200V級HVIC搭載 基板リーク改善高耐圧P-channel MOS

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD13074,SPC13136

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2013/10/21

タイトル(英語): A substrate leak free high voltage P-channel MOS for 1200V HVICs

著者名: 吉野 学(三菱電機),清水 和宏(三菱電機)

著者名(英語): Manabu Yoshino(Mitsubishi Electric Corporation),Shimizu Kazuhiro(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: １２００Ｖ　ＨＶＩＣ|Ｈｉｇｈ　ｖｏｌｔａｇｅ　Ｐ－ｃｈａｎｎｅｌ　ＭＯＳ|1200V HVIC|High voltage P-channel MOS

要約(日本語): 高耐圧P-channel MOSの新規ドレイン構造を開発し、従来構造_x000D_ で判明したオン電流の基板方向へのリークの問題を改善した。開発した高耐圧P-channel MOSによりハイサイドからローサイ_x000D_ ドへのレベルシフト機能を備える1200V HVICを実現した。高耐圧P-channel MOSの新規ドレイン構造、評価結果とともに基_x000D_ 板リークの発生モデルと新規構造での改善メカニズムを報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,204 Kバイト