30-40V 超低オン抵抗スーパージャンクションUMOSFETにおけるリバースリカバリ特性の改善

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD13075,SPC13137

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2013/10/21

タイトル(英語): Improvement of Reverse Recovery Characteristic for 30-40 V Ultralow On-Resistance Superjunction UMOSFET

著者名: 大久保 寿紀(ルネサスエレクトロニクス),小林 研也(ルネサスエレクトロニクス),南 忠生(ルネサスエレクトロニクス),坪井 眞三(ルネサスエレクトロニクス),二宮 仁(ルネサスエレクトロニクス)

著者名(英語): Hisanori Okubo(Renesas Electronics Corporation),Kenya Kobayashi(Renesas Electronics Corporation),Tadao Minami(Renesas Electronics Corporation),Shinzo Tsuboi(Renesas Electronics Corporation),Hitoshi Ninomiya(Renesas Electronics Corporation)

キーワード: ＵＭＯＳＦＥＴ|スーパージャンクション|オン抵抗|逆回復特性|UMOSFET|Superjunction|on-resistance|reverse recovery

要約(日本語): 低耐圧スパージャンクション型パワーMOSFET (SJ-UMOSFET)の性能向上のため、水平方向の寸法(p/nピッチ)を1.1umに縮小し、垂直方向の寸法(エピの厚さ)も削減。低耐圧MOSでは最高クラスである4.75mΩmm2（耐圧32.8V）の低Ronを実現した。また、EMIノイズ低減を狙い、内蔵ダイオードのリカバリをソフト化した。_x000D_

要約(英語): The high performance low-voltage rated superjunction power MOSFETs (SJ-UMOSFETs) were designed by not only shrinkage of lateral dimension(p/n pitch) to 1.1um, but scaling of vertical dimension. In the developed SJ-UMOSFETs,_x000D_ the best-class ultralow specific on-resistance of 4.75mΩmm2 (at a break down voltage of 32.8V) was obtained. We also improved soft recovery operation of a body diode for reduction of EMI noise._x000D_

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,397 Kバイト