トレンチ埋め込みエピ方式のSuper Junction MOSFETの結晶欠陥低減と特性改善

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD13076,SPC13138

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2013/10/21

タイトル(英語): 600 V-class Trench-Filling Super Junction Power MOSFETs for Low Loss and Low Leakage Current

著者名: 利田 祐麻(デンソー),赤木 望(デンソー),江口 浩次(デンソー),小田 洋平(デンソー),山本 剛(デンソー)

著者名(英語): Yuma Kagata(DENSO CORPORATION),Nozomu Akagi(DENSO CORPORATION),Kouzi Eguchi(DENSO CORPORATION),Youhei Oda(DENSO CORPORATION),Tsuyoshi Yamamoto(DENSO CORPORATION)

キーワード: パワーＭＯＳＦＥＴ|スーパージャンクション|トレンチ埋め込みエピ|Power-MOSFET|superjunction|Trench-filling

要約(日本語): ＳｕｐｅｒＪｕｎｃｔｉｏｎ（ＳＪ）－ＭＯＳＦＥＴのＳＪ構造を形成する手法であるトレンチ埋め込みエピ方式は、トレンチをエピタキシャル成長で埋め込む工程で発生する結晶欠陥が特性を劣化させる課題がある。我々はトレンチエッチングのマスク材の変更とエッチング後にアニールを追加することにより、トレンチ側壁を清浄化、平坦化させることで結晶欠陥を低減させた。これにより低損失、高耐量のＳＪ－ＭＯＳＦＥＴを実現した。

要約(英語): Trench-filling technology realizes an outstanding productivity for fabricating the Super Junction (SJ) structure of SJ-MOSFETs. However, crystal defects that occur during epitaxial growth are causing poor electrical characteristics. Our optimized process reduced the number of crystal defects. The new device realizes very low loss and high ruggedness.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 787 Kバイト