UIS状態における高耐量トレンチIGBTの検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD13077,SPC13139

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2013/10/21

タイトル(英語): Study of the high capability trench IGBT under unclamped inductive switching conditions

著者名: 佐藤 友彦(トヨタ自動車),岩橋 洋平(トヨタ自動車),馬場 浩佐(トヨタ自動車),堀田 幸司(トヨタ自動車)

著者名(英語): Tomohiko Sato(TOYOTA MOTOR CORPORATION),Yohei Iwahashi(TOYOTA MOTOR CORPORATION),Kosuke Bamba(TOYOTA MOTOR CORPORATION),Koji Hotta(TOYOTA MOTOR CORPORATION)

キーワード: ＵＩＳ耐量|トレンチＩＧＢＴ|カレントフィラメント|UIS capability|Trench IGBT|current filament

要約(日本語): ＨＶ用インバータの小型化と低コスト化に伴い、インバータに搭載されるパワー半導体も小型化が要求されている。パワー半導体の小型化を進めるうえで、デバイスの破壊耐量確保が重要となる。破壊耐量のひとつであるUIS耐量について、デバイスシミュレーションを活用し、破壊メカニズムを解明した。また、この結果を基にUIS耐量を向上する指針を打ち出し、実証実験を行ったので報告する。

要約(英語): The purpose of this paper is to improve the capability of an unclamped inductive switching (UIS) test. The failure mechanism of the conventional IGBT under a UIS test is studied, and is improved with the TCAD simulation. On the basis of the simulation results, the IGBT cell is designed. The UIS capability of the proposed structure is higher than the conventional structure by 60%.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 642 Kバイト