パワーエレクトロニクス機器の大規模解析に向けた高速・高精度デバイスモデルの検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD13081,SPC13143

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2013/10/21

タイトル(英語): High Accuracy Modeling of Semiconductor Devices for Large-Scale Simulation of Power Electronics Circuit

著者名: 原 翔一(パナソニック),嶺岸 瞳(パナソニック),崎山 一幸(パナソニック),山田 徹(パナソニック)

著者名(英語): Shoichi Hara(Panasonic Corporation),Akira Minegishi(Panasonic Corporation),Kazuyuki Sakiyama(Panasonic Corporation),Toru Yamada(Panasonic Corporation)

キーワード: ＥＭＣ|伝導ノイズ|パワーエレクトロニクス|モデリング|トランジスタ|シミュレーション|EMC|conductive noise|power electronics|modeling|transistor|simulation

要約(日本語): EMC対策のコスト削減には対策のフロントローディング化が有効であり、回路シミュレーションによるノイズ予測技術が重要となる。一方、ノイズを回路シミュレーションで予測するには、大規模回路を解析する必要があり、計算負荷が大きくなる。本稿では、特に解析負荷が大きい半導体素子の非線形性を収束性の良い数学式でモデル化する手法を提案する。提案モデルにより、シミュレーション時間を30％に短縮することが出来た。

要約(英語): A circuit simulation is effective for cost-cutting of EMC countermeasure, but it takes long time in the complexity circuits. This paper proposes a modeling methodology of power devices for large-scale circuit simulations. Non-linear characteristics of power semiconductor are modeled in a well-converged formula. As a result, simulation time is shortened(70% down).

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,216 Kバイト