SiCパワーデバイスの性能改善状況と解決すべき課題

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD14039

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2014/03/13

タイトル(英語): Development status and problems of SiC power devices

著者名: 寺島 知秀(三菱電機)

著者名(英語): Tomohide Terashima(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: パワーＭＯＳＦＥＴ|ショットキーバリアダイオード|スーパージャンクション|シリコンリミット|SiC|Power MOSFET|SJ-MOSFET|IGBT|Schottky Diode|Si limit

要約(日本語): 　次世代パワーデバイスとして期待されているＳｉＣパワーデバイスについて、その本質的なメリット、現在の開発状況、及びパワーデバイスとしてその性能を実現する上での課題について報告する。

要約(英語): This paper presents the essential merit of SiC power devices as a next-genaration power device, its current development status, and problems on showing the performance, especially, short circuit safe operating area (SCSOA) plays the important role for attaining the theoretical limit. In addition, the switching loss and turn-off time of SiC MOSFETs are evaluated and compared with those of Si MOSFETs.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 873 Kバイト