GaNパワーデバイスの最近の開発状況と課題

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD14040

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2014/03/13

タイトル(英語): Current Status and Future Subjects of GaN Power Devices

著者名: 加地 徹(豊田中央研究所)

著者名(英語): Tetsu Kachi(TOYOTA Central R&D Labs., Inc.)

キーワード: ＧａＮパワーデバイス|Ｓｉ基板|ノーマリオフ|電流コラプス|ＧａＮ基板|GaN power device|Si substrate|normally-off|current collapse|GaN substrate

要約(日本語): Si基板上に形成したGaNパワーデバイスは，低損失，高速動作，低コストなどの特徴を持ち，実用化の段階に来ている．しかし，課題も残されており，課題を解決することで，さらなる性能向上が期待される．GaN基板上の縦型デバイスも含め，開発の現状と課題を報告する．

要約(英語): The performance of GaN power devices has been rapidly improving. The main approach is the use of AlGaN/GaN HEMT structure on Si substrates. Many companies have announces their intention to commercialize such devices. In this report, recent developments concerning GaN power devices and unresolved issues are reviewed.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 814 Kバイト