GaNパワー素子のための絶縁膜界面制御

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD14041

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2014/03/13

タイトル(英語): Control of insulator interfaces for GaN power electron devices

著者名: 橋詰 保(北海道大学),谷田部 然治(北海道大学),佐藤 威友(北海道大学)

著者名(英語): Tamotsu Hashizume(Hokkaido University),Zenji Yatabe(Hokkaido University),Taketomo Sato(Hokkaido University)

キーワード: ＧａＮ|ＭＩＳ界面|界面準位|GaN|MIS interface|interface state

要約(日本語): 最近は絶縁ゲート構造を持つ電力スイッチング用AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ（HEMT）の報告が急激に増加し、様々な絶縁膜が利用されている。パワートランジスタ応用に重要な、GaN系半導体の絶縁膜界面に関連する問題点を概説し、さらに、AlGaN/GaNヘテロ構造に形成した絶縁ゲート界面の電子準位を評価する手法を紹介し、いくつかの結果を報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,185 Kバイト