MOVPE再成長により形成した(111)B面を有する高移動度三角形状InGaAs-OI nMOSFET

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD14042

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2014/03/13

タイトル(英語): High mobility triangular InGaAs-OI nMOSFET with (111)B surfaces formed by MOVPE growth

著者名: 入沢 寿史(産業技術総合研究所),小田 穣(産業技術総合研究所),池田 圭司(産業技術総合研究所),守山 佳彦(産業技術総合研究所),三枝 栄子(産業技術総合研究所),ジェバスワン ウィパコーン(産業技術総合研究所),前田 辰郎(産業技術総合研究所),市川 麿(住友化学),長田 剛規(住友化学),秦 雅彦(住友化学),宮本 恭幸(東京工業大学),手塚 勉(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Toshifumi Irisawa(National Institute of Advance Industrial Science and Technology),Minoru Oda(National Institute of Advance Industrial Science and Technology),Keiji Ikeda(National Institute of Advance Industrial Science and Technology),Yoshihiko Moriyama(National Institute of Advance Industrial Science and Technology),Eiko Mieda(National Institute of Advance Industrial Science and Technology),Wipakorn Jevaswan(National Institute of Advance Industrial Science and Technology),Tatsurou Maeda(National Institute of Advance Industrial Science and Technology),Osamu Ichikawa(Sumotomo Chemical Co. Ltd.),Kakenori Osada(Sumotomo Chemical Co. Ltd.),Masahiko Hata(Sumotomo Chemical Co. Ltd.),Yasuyuki Miyamoto(Tokyo Institute of Technology),Tsutomu Tezuka(National Institute of Advance Industrial Science and Technology)

要約(日本語): 微細InGaAs-OI FinにMOVPE成長を施すことで平坦な(111)Bファセットからなる高電子移動度三角形チャネルを形成することに成功した。本三角形素子ではノイズとヒステリシスが低減されることも確認され、高移動度の起源はトラップ低減であることが示唆された。Lch = 300 nmの素子でIon=930 uA/umが確認され、本素子の高いポテンシャルが示された。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,303 Kバイト