InP-ICサブミリ波帯動作に向けたウェハレベル裏面加工技術

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD14046

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2014/03/14

タイトル(英語): Wafer-level Backside Process Technology for Submillimeter-wave-band Operation of InP-ICs

著者名: 堤 卓也(日本電信電話),小杉 敏彦(日本電信電話),松崎 秀昭(日本電信電話)

著者名(英語): Takuya Tsutsumi(NTT Corporation),Toshihiko Kosugi(NTT Corporation),Hideaki Matsuzaki(NTT Corporation)

キーワード: インジウム燐|超高速集積回路|基板共振モード|基板貫通グランドヴィア|サブミリ波

要約(日本語): 近年タブレット端末やスマートフォンなど高機能通信端末の普及によって、基幹系・アクセス系通信システムの大容量化が求められており、システムに搭載される通信用フロントエンドモジュールへの要求性能も飛躍的に上昇している。しかしIC が数十GHz のマイクロ波領域で動作するようになると、伝送線路やトランジスタから高周波信号が基板側に放射され、共振を生じさせてIC 動作を不安定化する「基板共振」現象が顕著になる。今回、サブミリ波領域（< 300 GHz）までのInP-ICの広帯域安定動作に寄与する裏面プロセスを開発し、実際にInP-IC の安定動作を確認したので、その結果を報告する。

要約(英語): A wafer-level backside process technology for a 3-inch InP wafer has been developed for stable ultra-high-frequency operation of InP-based ICs. Finally, our developed backside process realizes stable operation of 300 GHz-range InP-HEMT amplifier with no oscillation and good port isolation.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 960 Kバイト