金属ゲートイオン注入GaN MISFET

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD14048

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2014/03/14

タイトル(英語): Metal Gate Ion-implanted GaN MISFETs

著者名: 小川 弘貴(法政大学),葛西 駿(法政大学),伊藤 駿一(法政大学),木村 純(法政大学),土屋 朋信(日立製作所),三島 友義(法政大学),中村 徹(法政大学)

著者名(英語): Hiroki Ogawa(Hosei University),Hayao Kasai(Hosei University),Shunichi Ito(Hosei University),Jun Kimura(Hosei University),Tomonobu Tsuchiya(Hitachi Ltd.),Tomoyoshi Mishima(Hosei University),Tohru Nakamura(Hosei University)

キーワード: 金属ゲート|自己整合|自立ＧａＮ基板|シリコンイオン注入|ＭＩＳＦＥＴ|窒素イオン注入|Metal Gate|Self-alignment|Free-standing GaN substrate|Si ion implantation|MISFET|Nitrogen ion implantation

要約(日本語): GaNは高い絶縁破壊強度や飽和電子速度など優れた物性値を持っており､高耐圧デバイスおよび高速動作デバイスへの応用が期待されている。 従来、サファイア基板上p-GaNウェハに作製したノーマリーオフ型MoゲートGaN MISFETでは、ドレイン電流、相互コンダクタンスが低かった。今回、Cドープ高抵抗バッファー層を有した自立GaN基板上p-GaNウェハを用いることで、ノーマリーオフ動作でありながら2倍以上の高い最大ドレイン電流を達成したので報告する。

要約(英語): I-V characteristics of normally-off self-aligned metal gate GaN MISFET were demonstrated. Idss of 98 mA/mm, gmmax of 10 mS/mm and threshold voltage of +0.4 V were obtained for GaN MISFETs with a gate length of 2 μm.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 756 Kバイト