MOCVD成長InP系HBTにおけるGaAsSbベース-InPエミッタ界面へのGaAsスペーサ挿入効果

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD14049

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2014/03/14

タイトル(英語): Impact of GaAs Spacer on Structural Properties and Device Characteristics of MOCVD-Grown InP/GaAsSb/InP Double Heterojunction Bipolar Transistors

著者名: 星 拓也(日本電信電話),柏尾 典秀(日本電信電話),杉山 弘樹(日本電信電話),横山 春喜(日本電信電話),栗島 賢二(日本電信電話),井田 実(日本電信電話),松崎 秀昭(日本電信電話),神徳 正樹(日本電信電話)

著者名(英語): Takuya Hoshi(NTT Corporation),Norihide Kashio(NTT Corporation),Hiroki Sugiyama(NTT Corporation),Haruki Yokoyama(NTT Corporation),Kenji Kurishima(NTT Corporation),Minoru Ida(NTT Corporation),Hideaki Matsuzaki(NTT Corporation),Masaki Kohtoku(NTT Corporation)

キーワード: ヘテロ接合バイポーラトランジスタ|ＧａＡｓＳｂ|ＧａＡｓスペーサ|有機金属化学気相堆積|電流利得|HBT|GaAsSb|GaAs spacer|MOCVD|Current gain

要約(日本語): THz応用を目指した広帯域GaAsSbベースHBTを高電流利得化するためには、InPエミッタ/GaAsSbベース界面の高品質化が必須である。今回、簡易に界面品質を向上させる手段として、EB界面にGaAsスペーサ層を挿入する構造を提案する。スペーサ層の挿入による結晶品質向上、および電気特性の改善効果を確認し、最適厚さ2nmを得た。これを実際に微細HBTに適用し、高電流密度でも高い電流利得を得、スペーサ層がデバイス特性を犠牲にしないことを確かめた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,319 Kバイト