短絡耐量改善4H-SiCトレンチMOSFET

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD14050,SPC14112

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2014/10/30

タイトル(英語): Impact of Grounding the Bottom Oxide Protection Layer on the Short-Circuit Ruggedness of 4H-SiC Trench MOSFETs

著者名: 田中 梨菜(三菱電機),香川 泰宏(三菱電機),藤原 伸夫(三菱電機),菅原 勝俊(三菱電機),福井 裕(三菱電機),三浦 成久(三菱電機),今泉 昌之(三菱電機),山川 聡(三菱電機)

著者名(英語): Rina Tanaka(Mitsubishi Electric Corporation),Yasuhiro Kagawa(Mitsubishi Electric Corporation),Nobuo Fujiwara(Mitsubishi Electric Corporation),Katsutoshi Sugawara(Mitsubishi Electric Corporation),Yutaka Fukui(Mitsubishi Electric Corporation),Naruhisa Miura(Mitsubishi Electric Corporation),Masayuki Imaizumi(Mitsubishi Electric Corporation),Satoshi Yamakawa(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: シリコンカーバイド|トレンチ|ＭＯＳＦＥＴ|短絡耐量|SiC|trench|MOSFET|short circuit

要約(日本語): トレンチ底面の酸化膜電界強度低減のためのp型領域（BPW）を形成した、トレンチゲート型SiC-MOSFETにおいて、BPWを電気的に接地する方法がデバイスの性能に与える影響について調査した。BPWは複数のコンタクトにより接地されるが、今回我々はそのコンタクトの配置が素子の短絡耐量を決める重要な要因となることを見出した。コンタクトレイアウトの最適化により特性改善を図った結果、10μs以上の高い短絡耐量を有する素子の開発に成功した。

要約(英語): A trench-gate SiC-MOSFET with a p-type region (BPW) under the trench for oxide electric field reduction is fabricated. The BPW is electrically grounded through multiple contacts, and their arrangement is found to be a key to enhancing the short-circuit ruggedness of a device. As a result of layout optimization, a short-circuit safe operation area of over 10 μs is obtained.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,276 Kバイト