16kV級超高耐圧SiC nチャネル型IE-IGBTの開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD14051,SPC14113

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2014/10/30

タイトル(英語): Dynamic Characteristics of Large Current Capacity Module using 16-kV Ultrahigh Voltage SiC Flip-Type n-channel IE-IGBT.

著者名: 水島 智教(産業技術総合研究所),竹中 研介(産業技術総合研究所),藤澤 広幸(産業技術総合研究所),加藤 智久(産業技術総合研究所),原田 信介(産業技術総合研究所),田中 保宣(産業技術総合研究所),岡本 大(産業技術総合研究所),出口 忠義(産業技術総合研究所),米澤 喜幸(産業技術総合研究所),福田 憲司(産業技術総合研究所),奥村 元(産業技術総合研究所),武井 学(富士電機),松永 慎一郎(富士電機),浅野 勝則(関西電力),木本 恒暢(京都大学)

著者名(英語): Tomonori Mizushima(Advanced Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Kensuke Takenaka(Advanced Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Hiroyuki Fujisawa(Advanced Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Tomohisa Kato(Advanced Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Shinsuke Harada(Advanced Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Yasunori Tanaka(Advanced Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Dai Okamoto(Advanced Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Tadayoshi Deguchi(Advanced Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Te

キーワード: ＳｉＣ|ｎチャネル|ＩＧＢＴ|超高耐圧|動特性|SiC|n-channel| IGBT|Ultrahigh Voltage|Dynamic Characteristics

要約(日本語): 全層エピ自立膜の4H-SiCウェハを用い、超高耐圧SiC-IGBTを試作した。静特性は14mΩcm2程度のオン抵抗と安定した温度特性、16kV超級の高耐圧の結果を得た。動特性は1チップ20Aと3チップ60Aで評価し、それぞれ室温でのターンオフ損失は40mJ/220mJ程度、ターンオン損失は20mJ/120mJ程度となった。

要約(英語): 4H-SiC n-channel IGBT with an epitaxial p++ substrate was developed and its switching test was carried out. We were able to achieve an ultrahigh blocking voltage greater than 16 kV, extremely low Von (6.35 V at 20 A), and good temperature stability. The switching operation was achieved by connecting three IGBTs in parallel. The turn-off loss and turn-on loss were about 220 mJ and 120 mJ, respectively at room temperature.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,232 Kバイト