SiC表面平坦化によるショットキーバリアダイオードのI-V特性の改善

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD14052,SPC14114

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2014/10/30

タイトル(英語): Improvement of I-V Characteristics of Schottky Barrier Diode by 4H-SiC Surface Planarization

著者名: 福岡 佑二(トヨタ自動車),小野木 淳士(トヨタ自動車),藤原 広和(トヨタ自動車),古川 正樹(トヨタ自動車),味岡 正樹(トヨタ自動車),濱田 公守(トヨタ自動車)

著者名(英語): Yuji Fukuoka(Toyota Motor Corporation),atsushi Onogi(Toyota Motor Corporation),Hirokazu Fujiwara(Toyota Motor Corporation),Masaki Furukawa(Toyota Motor Corporation),Masaki Ajioka(Toyota Motor Corporation),Kimimori Hamada(Toyota Motor Corporation)

キーワード: ショットキーバリアダイオード|リーク電流|バリアハイト|化学機械研磨|触媒基準エッチング|Schottky Barrier Diode|Leakage Current|Barrier Height|Chemical mechanical polishing|Catalyst-referred etching

要約(日本語): SiCショットキーバリアダイオードにおいて、触媒基準エッチング法（CARE）と化学機械研磨法（CMP）によってSiCドリフト層の表面をナノレベルに平坦化することで、ダイオードのリーク電流が一桁から二桁ほど減少した。それらの平坦化によって、低電圧のリーク電流のばらつきやバリアハイトのばらつきも低減した。特に、CAREを用いた場合、ダイオードのトレードオフ特性を改善できる効果が得られた。

要約(英語): This research investigated the effects of SiC planarization by catalyst-referred etching (CARE) and chemical mechanical polishing (CMP) on barrier height and leakage current in SiC Schottky barrier diodes (SBDs). Applying CARE and CMP achieved approximately a single-digit reduction in leakage current density in the diodes.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,125 Kバイト