1.7kV 360A 低インダクタンスSiCパワーモジュールの開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD14053,SPC14115

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2014/10/30

タイトル(英語): Development of 1.7kV 360A low inductance SiC power modue

著者名: 高尾 和人(東芝),河野 洋志(東芝),四戸 孝(東芝)

著者名(英語): Kazuto Takao(Toshiba Corporation),Hiroshi Kono(Toshiba Corporation),Takashi Shinohe(Toshiba Corporation)

キーワード: パワーデバイス|炭化ケイ素|インダクタンス|パワーモジュール|Power devices|SiC|inductance|Power modules

要約(日本語): SiCパワーデバイスの高速性を十分に引き出すために寄生インダクタンスを8.3nH（DCリンクコンデンサの内部インダクタンス込）まで低減した1.7kV 360A SiCモジュールを開発した。低インダクタンス化により、大電流のSiCモジュールにおいてもSiC本来の高速スイッチング動作が可能になった。

要約(英語): A novel packaging structure for large current rating silicon carbide (SiC) power module has been developed based on a phase leg clustering concept. A prototype 1700 V-360 A SiC power module is developed using SiC-MOSFETs and the very low parasitic inductance of 8.3 nH including a DC link capacitor has been achieved.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,388 Kバイト