分割ハイサイドウェル構造を用いた１２００ＶクラスＨＶＩＣ技術

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD14056,SPC14118

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2014/10/30

タイトル(英語): 1200V-Class HVIC Technology with a Divided High-side Well Structure for High-functionality and Downsizing of Circuits

著者名: 田中 貴英(富士電機),上西 顕寛(富士電機),赤羽 正志(富士電機),山路 将晴(富士電機),今井 朋弘(富士電機),菅野 博(富士電機),富田 航(富士電機),森 貴浩(富士電機),澄田 仁志(富士電機)

著者名(英語): Takahide Tanaka(Fuji Electric Co,, Ltd.),Akihiro Jonishi(Fuji Electric Co., Ltd.),Masashi Akahane(Fuji Electric Co., Ltd.),Masaharu Yamaji(Fuji Electric Co., Ltd.),Tomohiro Imai(Fuji Electric Co., Ltd.),Hiroshi Kanno(Fuji Electric Co., Ltd.),Wataru Tomita(Fuji Electric Co., Ltd.),Takahiro Mori(Fuji Electric Co., Ltd.),Hitoshi Sumida(Fuji Electric Co., Ltd.)

キーワード: ＨＶＩＣ|高耐圧ＩＣ|１２００Ｖ|ゲートドライバ|ハイサイドウェル|分離構造|HVIC|high voltage IC|1200V|gate driver|high-side well|isolation structure

要約(日本語): 　P基板上の1200VクラスHVICのための新しいハイサイドウェル構造を開発した。新構造は異なる電圧を持つ分割されたウェル領域から構成されており、異なる電源電圧によって駆動される回路をハイサイド領域に集積化することを可能にする。新構造を用いることにより、ハイサイド側のIGBT保護回路の面積を従来よりも17%縮小でき、高機能かつ高ノイズ耐量の1200VクラスHVICを実現した。_x000D_

要約(英語): A novel high-side well structure for a 1200V-class HVIC on a p-type substrate has been　developed. The high-side well structure, consists of divided well regions with different voltage,　makes it possible to integrate multiple circuits driven by different supply voltages on the high-side region in the HVIC. With implementing the developed structure, IGBT protection circuits on the high-side can be allocated 17% smaller area, and a 1200V-class HVICs with high functionality and high noise tolerance has been developed.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,510 Kバイト