SOIプロセスを用いた600VシングルチップインバータICの開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD14057,SPC14119

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2014/10/30

タイトル(英語): Development of a 600V Single Chip Inverter IC with New SOI Technology

著者名: 原 賢志(日立製作所),和田 真一郎(日立製作所),坂野 順一(日立製作所),織田 哲男(日立パワーデバイス),桜井 健司(日立パワーデバイス),山下 裕生(日立パワーデバイス),内海 智之(日立パワーデバイス)

著者名(英語): Kenji Hara(Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory),Shinichiro Wada(Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory),Junichi Sakano(Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory),Tetsuo Oda(Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd.),Kenji Sakurai(Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd.),Hiroki Yamashita(Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd.),Tomoyuki Utsumi(Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd.)

キーワード: ＳＯＩ|インバータＩＣ|横型ＩＧＢＴ|SOI|Inverter IC|Lateral IGBT

要約(日本語): 従来の500V耐圧DIプロセスによるシンブルチップインバータICに変え、600V耐圧SOIプロセスとそれを用いたICを開発した。Poly-Siフィールドプレートと多段拡散層を用いた電界緩和により、素子面積を増大せず600V耐圧を得た。IGBTは、マルチエミッタ構造とチャネル間に設けたn型ウェル層により、1.8Ω・mm2の低オン抵抗を実現し、従来IGBTより高温時のターンオフ損失を54%低減した。これらにより、IC動作損失は従来の2.6Wから2.3Wに低減できた。

要約(英語): A 600V three-phase single chip inverter IC has been developed using a new SOI technology. A new IGBT accomplishes high current density with an on-resistance of 1.8Ωmm2 by using a multi emitter structure and an n-type well layer that reduces JFET resistance between emitter channels. Compared to the conventional 500V IC, the operational power consumption is reduced from 2.6W to 2.3W.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,404 Kバイト