GaN HEMTを用いたSiC MOSFET高速ゲートドライブ回路の一検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD14059,SPC14121

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2014/10/30

タイトル(英語): A Study on High-speed Gate Driver for SiC MOSFET by GaN HEMT

著者名: 長岡 晃平(京都大学),引原 隆士(京都大学)

著者名(英語): Kohei Nagaoka(Kyoto University),Takashi Hikihara(Kyoto University)

キーワード: ＳｉＣデバイス|ＧａＮ　ＨＥＭＴ|ゲートドライブ回路|高周波応用|SiC device|GaN HEMT|gate driver|high frequency

要約(日本語): SiCデバイスの優位な特性である高速スイッチング特性に注目する. 現状ではSiCデバイスではなく, ドライバの性能により駆動限界が生じている. SiCデバイスの高速スイッチング特性を引き出すため, 本報告ではGaNデバイスによる高速駆動を提案する. 提案したゲートドライブ回路を製作し, その駆動特性について検討する.

要約(英語): In this report, we focus on high frequency switching of SiC MOSFET. The switching frequency is restricted by capability of the drive circuit. In order to attack the restriction, we apply GaN devices for the gate driver. The feasibility is discussed based on experiments.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,165 Kバイト