ワイドバンドギャップ半導体を用いた誤点弧メカニズムの解析

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD14061,SPC14123

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2014/10/30

タイトル(英語): An Analysis of False Turn-On Mechanism on Wide Bandgap Semiconductors

著者名: 西垣 彰紘(島根大学),梅上 大勝(島根大学),服部 文哉(島根大学),山本 真義(島根大学)

著者名(英語): Akihiro Nishigaki(Shimane university),Hirokatsu Umegami(Shimane university),Fumiya Hattori(Shimane university),Masayoshi Yamamoto(Shimane university)

キーワード: パワー半導体デバイス|誤点弧現象|ＧａＮ|ＳｉＣ|高周波駆動|Power devices|False turn-on phenomenon|Gallium nitride|Silicon carbide|High-frequency operation

要約(日本語): 現在，電力変換機器の小型軽量化が求められている。そこで近年，高耐圧・高速スイッチング・低損失動作を得意とするGaNやSiCなどのワイドバンドギャップ半導体が注目されている。しかし，これらのデバイスはゲート閾値電圧が低いため誤点弧の懸念がある。本報告では，ワイドバンドギャップ半導体を用いて誤点弧のメカニズムについて検討を行い，パワーデバイスの構造により誤点弧メカニズムが異なることが判明したので報告する。

要約(英語): This paper analyzes a false turn-on mechanism of a power switching devices for high-frequency. The silicon MOS-FET and the GaN HEMT that is wide bandgap semiconductor to analyze the false turn-on mechanism. As a result of this analysis, it became clear that the false turn-on mechanism is depends on the power devices.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,662 Kバイト