パワーモジュールの配線構造を考慮した等価回路モデル化とMOSFETにおけるドレイン電流とゲート電圧の過渡応答に関する一検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD14064,SPC14126

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2014/10/30

タイトル(英語): A study on equivalent circuit modeling of power module with considering wiring structure and analysis of transient response in drain current and gate voltage for MOSFETs

著者名: 吉竹 徹真(大阪大学),舟木 剛(大阪大学)

著者名(英語): Tetsuma Yoshitake(Osaka University),Tsuyoshi Funaki(Osaka University)

キーワード: パワーモジュール|パワーＭＯＳＦＥＴ|配線構造|配線インダクタンス|等価回路モデル|誘導電圧|power module|power MOSFET|wiring structure|wiring inductance|equivalent circuit model|induced voltage

要約(日本語): これまで，MOSFETのスイッチング動作におけるドレイン電流の過渡応答とゲートに重畳される誘導電圧に対してパワーモジュールの配線構造が与える影響を実験的に評価してきた。本稿では，並列接続されたMOSFETにおけるドレイン電流の過渡応答およびゲートに重畳される誘導電圧について，パワーモジュールや主回路の配線インダクタンスや抵抗成分を考慮した等価回路モデル化を行い，解析と実測との比較を行った結果を報告する。

要約(英語): We’ve been experimentally evaluating the influence of wiring structure in power module on transient response of drain current and gate voltage in switching operation of MOSFETs. In this paper, we developed equivalent circuit model considering wiring inductance and resistance of power module. The developed model is validated with comparing the experimented drain current and gate voltage behavior for turn on of parallel connected MOSFETs.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,927 Kバイト