SOI超高速横型シリコンダイオード

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD14068,SPC14130

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2014/10/30

タイトル(英語): Ultra-fast lateral SOI PiN diode

著者名: 今城 寛紀(九州工業大学),附田 正則(アジア成長研究所),大村 一郎(九州工業大学)

著者名(英語): Hironori Imaki(Kyushu Institute of Technology),Masanori Tsukuda(Asian Growth Research Institute),Ichiro Omura(Kyushu Institute of Technology)

キーワード: パワーデバイス|シリコン|ＰｉＮダイオード|ＳＯＩ|高速回復|波形振動|power device|silicon|PiN diode|SOI|fast recovery|waveform oscillation

要約(日本語): パワー半導体は省エネ社会実現のためのキーデバイスとして需要が拡大しており、量産性向上と高性能化が求められている。本研究では、インバータ回路の効率改善のカギとなるダイオードに注目し、量産性に優れたシリコンパワー半導体をベースに高性能化を阻んでいたノイズ発生を究極まで抑制する構造をシミュレーションで実証した。本ダイオードの適用により、パワー半導体の損失低減とインバータ回路の効率改善が期待できる。

要約(英語): Power semiconductors are becoming key devices for energy-saving society, therefore higher performance and productivity is required. We proposed a silicon-on-insulator (SOI) PiN diode, which realizes ultra-fast reverse recovery without waveform oscillation. This diode is expected to reduce energy loss of power devices and to improve performance of inverter circuits.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,054 Kバイト