MOSFET損失を構成するデバイス特性の解析

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD14069,SPC14131

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2014/10/30

タイトル(英語): Analysis for device's characteristics affecting losses of MOSFET

著者名: 佐々木 正人(シャープ),梅上 大勝(島根大学),山本 真義(島根大学)

著者名(英語): Sasaki Masato(Sharp Corporation),Umegami Hirokatsu(Shimane University),Yamamoto Masayoshi(Shimane University)

キーワード: パワーデバイス|スイッチングロス|ＧａＮ|ＳｉＣ|Power device|Switching loss|Gallium Nitride|Silicon Carbide

要約(日本語): 本論文では、昇圧コンバータ回路のスイッチング素子に適用したMOSFETの損失を解析した結果、MOSFETの損失は、動作条件、駆動条件、デバイス特性という3つの要素に分離でき、デバイス特性は伝達特性、ゲート・ソース間容量、ゲート・ドレイン間容量蓄積エネルギで構成されていることが明らかになった。また、スイッチング損失を構成するデバイス特性である伝達特性、ゲート・ソース間容量、ゲート・ドレイン間容量蓄積エネルギをオン抵抗Ronで正規化することで、導通損失とスイッチング損失とがトレードオフの関係にあることが明らかになった。

要約(英語): This paper analyzes device’s characteristics affecting losses of MOSFET applied to the switching device of a boost converter. As a result, it is confirmed that device’s characteristics affecting losses caused of FET are the transfer 　characteristics, the gate-source capacitance, and the energy stored in gate-drain capacitor. Furthermore, normalizing by drain-source resistance the transfer characteristics, gate-source capacitance, and the energy stored in gate-drain capacitor, it is confirmed that the conduction loss and the switching loss have a relation of trade-off.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,227 Kバイト