SiC SBD起因損失を構成するデバイス特性の解析

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD14070,SPC14132

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2014/10/30

タイトル(英語): Analysis for device's charcteristics affecting losses caused by SiC SBD

著者名: 佐々木 正人(シャープ),梅上 大勝(島根大学),山本 真義(島根大学)

著者名(英語): Sasaki Masato(Sharp Corporation),Umegami Hirokatsu(Shimane University),Yamamoto Masayoshi(Shimane University)

キーワード: パワーデバイス|ロス|ＳｉＣ|Power device|Loss|SiC

要約(日本語): 昇圧コンバータ回路の出力ダイオードの適用したSiC SBD起因損失は、SiC SBDで損失となる導通損失とSiC SBDの端子間容量での充放電エネルギに起因するスイッチング素子での損失であり、端子間容量蓄積エネルギにて正規化するこてで導通損失と端子間容量蓄積エネルギ起因損失とがトレードオフの関係にあることが明らかになった。

要約(英語): This paper analyzes device’s charcteristics affecting losses caused by SiC SBD applied to the output diode of a boost converter. As a result, it is confirmed that device’s charcteristics affecting losses caused by SiC SBD are the forward current characteristics and the energy stored in the junction capacitor. Furthermore, normalizing the forward current characteristics by the energy stored in the junction capacitor, it is confirmed that the conduction loss and the loss caused by the energy stored in the junction capacitor have a relation of trade-off.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,951 Kバイト