分極接合プラットフォームを用いた窒化ガリウムN/Pトランジスタのワンチップ集積化技術

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD14071,SPC14133

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2014/10/30

タイトル(英語): One-chip integration technology of GaN-based N/P transistors using Polarization-Junction platform

著者名: 中島 昭(産業技術総合研究所),米澤 宏昭(東京工業大学),筒井 一生(東京工業大学),角嶋 邦之(東京工業大学),西澤 伸一(産業技術総合研究所),大橋 弘通(産業技術総合研究所),若林 整(東京工業大学),岩井 洋(東京工業大学)

著者名(英語): Akira Nakajima(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Hiroaki Yonezawa(Tokyo Institute of Technology),Kazuo Tsutsui(Tokyo Institute of Technology),Kuniyuki Kakushima(Tokyo Institute of Technology),Shin-ichi Nishizawa(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Hiromichi Ohashi(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Hitoshi Wakabayashi(Tokyo Institute of Technology),Hiroshi Iwai(Tokyo Institute of Technology)

キーワード: 窒化ガリウム|２次元正孔ガス|ＰチャネルＨＦＥＴ|ワンチップ集積化|GaN|2D hole gas|P-channel HFET|monolithic integration

要約(日本語): 分極接合プラットフォームを用いたGaNによるPおよびNチャネルトランジスタのワンチップ動作実証を報告する。GaN/AlGaN/GaN構造によって形成される2次元正孔ガスおよび2次元電子ガスに対してソース／ドレイン電極を形成することで、PおよびNチャネルトランジスタをワンチップで作製した。。また、ホール効果測定による2DHG移動度の評価結果をもとに、Pチャネル型HFETの占有面積をシミュレーションで試算した。

要約(英語): Monolithic operation of GaN-based P-channel (Pch) and N-channel (Nch) HFETs was demonstrated utilizing the GaN/AlGaN/GaN polarization-junction (PJ) platform. The Pch and Nch HFETs were fabricated by formation of source and drain contacts to 2DHG and 2DEG in the PJ platform, respectively. Based on a measured 2DHG mobility, specific on-resistances of Pch HFETs are estimated by device simulation.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,885 Kバイト