半導体におけるトンネル現象の再検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD14073,SPC14135

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2014/10/30

タイトル(英語): A Consideration on Tunneling Phenomena in Seimiconductors

著者名: 高田 育紀(東京工業大学)

著者名(英語): Ikunori Takata(Tokyo Institute of Technology)

キーワード: Ｆ－Ｎトンネル電流|Ｚｅｎｅｒ降伏|トンネル　ダイオード|トンネル現象|オーミック接触|半導体|F-N tunnel current|Zener breakdown|tunnel diode|tunnel phenonena|Ohmic contact|semiconductor

要約(日本語): トンネル ダイオード動作, Zener降伏, F-Nトンネル電流等の半導体におけるトンネル現象とそれらの観測事例を改めて検討して、伝統的な解釈と異なる解釈の可能性を探る。

要約(英語): Reconsidering on the tunnel phenomena in semiconductors, such as the the tunnel diode, the Zener breakdown, F-N tunnel current compering with observations, the author would investigate the possibility to explain in the different way.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,863 Kバイト