トレンチフィールドプレートMOSFETにおけるShoot-Throughメカニズムとその抑制

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD14075,SPC14137

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2014/10/30

タイトル(英語): Shoot-Through mechanism and elimination in Trench Field Plate Power MOSFET

著者名: 西脇 達也(東芝),原 琢磨(東芝),加賀野井 啓介(東芝),横田 誠(東芝),鉾本 吉孝(東芝),川口 雄介(東芝)

著者名(英語): Tatsuya Nishiwaki(Toshiba Corporation Semiconductor & Strage Products Company),Takuma Hara(Toshiba Corporation Semiconductor & Strage Products Company),Keisuke Kaganoi(Toshiba Corporation Semiconductor & Strage Products Company),Makoto Yokota(Toshiba Corporation Semiconductor & Strage Products Company),Yoshitaka Hokomoto(Toshiba Corporation Semiconductor & Strage Products Company),Yusuke Kawaguchi(Toshiba Corporation Semiconductor & Strage Products Company)

キーワード: パワーＭＯＳＦＥＴ|トレンチフィールドプレート構造|Ｓｈｏｏｔ－Ｔｈｒｏｕｇｈ|ダイナミックアバランシェ|スイッチング|ＴＣＡＤ　ｍｉｘｅｄ－ｍｏｄｅ|Power MOSFET|Trench Field Plate Structure|Shoot-Through|Dynamic Avalanche|Switching|TCAD mixed-mode

要約(日本語): トレンチフィールドプレートMOSFETのShoot-Through現象(誤点弧)について等価回路とTCADにより解析し、ゲート変位電流によるチャネルコンダクションと、埋め込みソース電位上昇によるダイナミックアバランシェの２つのモードが存在すること、ともに埋め込みソース配線抵抗低減により抑制できることを明らかにした。そしてソース配線抵抗を最適化した素子により、バックコンバータの効率向上を確認した。

要約(英語): We analyzed Shoot-Through in Trench Field Plate MOSFET by equivalent circuit and TCAD models. We found two Shoot-Through modes; channel conduction and dynamic avalanche caused by buried-source voltage rise. Both modes were suppressed by the buried-source resistance reduction. We demonstrated the improvement of back converter efficiency with optimum buried-source design.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,169 Kバイト