pinダイオードにおけるライフタイムとキャリア注入効率が順方向降下電圧と逆回復電荷の関係に及ぼす影響

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD14077,SPC14139

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2014/10/30

タイトル(英語): Effect of carrier lifetime and injection efficiency to relationship between foward voltage and reverse recovery charge of pin diode

著者名: 山下 侑佑(豊田中央研究所),町田 悟(豊田中央研究所)

著者名(英語): Yusuke Yamashita(Toyota Central R&D Laboratories Inc.),Satoru Machida(Toyota Central R&D Laboratories Inc.)

キーワード: ｐｉｎダイオード|理論解析|順方向降下電圧|逆回復電荷|キャリアライフタイム|pin Diode|Theoretical analysis|Foward voltage|Reverse recovery charge|Carrier lifetime

要約(日本語): Si-pinダイオードの順方向電圧および逆回復電荷はトレードオフの関係にあり、キャリアライフタイムやキャリア注入効率によって制御できる。このトレードオフ関係の理論解析を行った。結果、トレードオフを算出可能な理論計算式を得た。またトレードオフはdj/dtによって異なり、例えばdj/dtが高い時は、キャリア注入を抑えたほうが、キャリアライフタイムを短くするよりも、より低い逆回復電荷を実現できることを見出した。

要約(英語): The forward voltage and the reverse recovery charge of Silicon pin power, controlled by carrier lifetime or carrier injection control techniques, were investigated by theoretical analyses. This work showed that, In the case of the high dj/dt, the carrier injection control can decrease the reverse recovery charge at the same forward voltage.

原稿種別: 日本語

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