IGBTの負荷短絡動作におけるターンオフ時の電流集中メカニズムの解析

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD14078,SPC14140

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2014/10/30

タイトル(英語): Current Filamentation Caused by Dynamic Avalanche during Turn-Off Transient under Short-Circuit Operation of IGBTs

著者名: 小林 太一(東芝インフォメーションシステムズ),諏訪 剛史(東芝インフォメーションシステムズ),末代 知子(東芝　セミコンダクター＆ストレージ社),小倉 常雄(東芝　セミコンダクター＆ストレージ社)

著者名(英語): Taichi Kobayashi(Toshiba I.S. Corporation),Takeshi Suwa(Toshiba I.S. Corporation),Tomoko Matsudai(Toshiba Corporation Semiconductor & Storage Products Company),Tsuneo Ogura(Toshiba Corporation Semiconductor & Storage Products Company)

キーワード: ＩＧＢＴ|短絡破壊耐量|ダイナミックアバランシェ|電流集中|デバイスシミュレーション|IGBTs|Short-Circuit Capability|Dynamic Avalanche|Current Filamentation|Device Simulation

要約(日本語): 本論文では、多セルIGBT構造を用いて負荷短絡耐量試験時の電流集中メカニズムの解析を行った。電流集中はダイナミックアバランシェにより生じ、ダイナミックアバランシェの発生はゲート抵抗に依存することを明らかにした。そこで、ゲート抵抗が低いほどダイナミックアバランシェが起き、電流集中が起きることを示す。この結果はゲート抵抗が低いときは電流集中により素子が破壊しやすいことを示すと考えられる。

要約(英語): Using multi-cell simulation for IGBTs, we investigate the mechanism of current filamentation during turn-off transient under short-circuit operation. Our main purpose is to reveal that current filamentation is caused by dynamic avalanche. The generation of dynamic avalanche depends on the gate-resistance condition for the same reason as in normal switching operation. Therefore, dynamic avalanche causes the current filamentation under the low gate-resistance condition.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,179 Kバイト