微小電界センサによる無バイアスでのIGBT欠陥観察

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD14080,SPC14142

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2014/10/30

タイトル(英語): Non-bias IGBT defect observation using a nano electrostatic field probe sensor

著者名: 松本 徹(浜松ホトニクス),伊藤 誠吾(こなか電子工房),後藤 安則(トヨタ自動車)

著者名(英語): Toru Matsumoto(Hamamatsu Photonics K.K.),Seigo Ito(Konaka Electronics),Yasunori Goto(Toyota Motor Corporation)

キーワード: ＩＧＢＴ|パワーデバイス|故障解析|非破壊|無バイアス|ＮＥＰＳ|IGBT|Power Device|Failure Analysis|Nondestructive|Non-bias|NEPS

要約(日本語): 微小電界センサ（Nano Electrostatic field Probe Sensor:NEPS)法は、電気的な針当てを行わず無バイアス状態にてサンプルにレーザを照射し、サンプル内に発生するキャリア信号の変化を画像化して故障個所を推定する手法である。サンプルとセンサ、サンプルとグランド間を容量結合し、生成される電流ループをNEPSで検出している。本発表では、NEPS法によるパワーデバイスであるIGBTのTEG（Test Element Group）のコンタクト欠陥やトレンチ欠陥の検出結果を報告する。

要約(英語): The NEPS method is technique to estimate a failure region by imaging the change of the carrier signal that is generated by irradiating the laser under non electrical contact and non-bias condition. We report the result that NEPS detects the contact and the trench defect on TEG of IGBT.

原稿種別: 日本語

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