Ｇｅドープ再成長層を用いた超低オン抵抗ノーマリーオフ型ＧａＮＨＦＥＴ

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD15030

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2015/03/04

タイトル(英語): Extremely low on-resistance Enhancement-mode GaN-based HFET

著者名: 鈴木 朝実良(パナソニック),崔 成伯(パナソニック),大塚 信之(パナソニック),上田 大助(京都工芸繊維大学)

著者名(英語): Asamira Suzuki(Panasonic),Songbeak Choe(Panasonic),Nobuyuki Otsuka(Panasonic),Daisuke Ueda(Kyoto Institute of Technology)

キーワード: ノーマリーオフ|ＤＣ－ＤＣコンバーター|ＧａＮ　ＨＦＥＴ|ＮｉＯゲート|ＧｅドープＧａＮ再成長|低オン抵抗|normally-off|DC-DC converter|GaN HFET|NiO gate|Ge-dope GaN regrowth|low on-state resistance

要約(日本語): ゲート電極材料にALD製膜のNiOを導入してデバイスの小型化を図り、電極にGeドープの再成長GaN層を導入することでオン抵抗が世界最少のノーマリーオフ型GaNHFETを実現した。

要約(英語): We present a normally-off GaN-based transistor with extremely low on-stete resistance fabricated by using Ge-doped n++GaN layer for ohmic contact. We developed a new GaN regrowth technique using Ge and a NiO gate structure. The fabricated device showed the record-breaking low on-state resistance.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,918 Kバイト