h-BN剥離層を用いたAlGaN/GaN HEMTのエピタキシャルリフトオフと銅板転写による自己発熱効果の抑制

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD15031

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2015/03/04

タイトル(英語): Suppression of Self-Heating Effect in AlGaN/GaN HEMTs by Epitaxial Lift-off and Transfer to Copper Plate using h-BN Release Layer

著者名: 廣木 正伸(日本電信電話),熊倉 一英(日本電信電話),山本 秀樹(日本電信電話)

著者名(英語): Masanobu Hiroki(NTT Corporation),Kazuhide Kumakuraq(NTT Corporation),Hideki Yamamoto(NTT Corporation)

キーワード: 窒化物半導体|ＧａＮ|ＢＮ|ＡｌＧａＮ／ＧａＮ　ＨＥＭＴ|Nitride semiconductor|GaN|BN|AlGaN/GaN HEMT

要約(日本語): 我々は、h-BN剥離層を用いてAlGaN/GaN HEMTをサファイア基板からリフトオフし、熱伝導率の高い銅板へ転写を行った。転写後において、自己発熱効果による飽和電流の減少が大きく抑制された。また、デバイス動作時の温度上昇が、転写前では約20℃であるのに対し、転写後では数℃に留まった。転写技術により自己発熱効果を抑制し、出力特性を改善できることを示している。

要約(英語): We lifted AlGaN/GaN HEMTs off sapphire substrate using h-BN release layer and transferred it to copper plate. The reduction in saturation current was significantly suppressed after transfer. While the temperature rise of active region is about 30°C before release, it is only several degrees after transfer. These results indicate that the transfer technique can suppress the self-heating effect and boost power performance.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 578 Kバイト