酸化ガリウムパワーデバイス研究開発の現状と課題

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD15033

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2015/03/04

タイトル(英語): Current status and challenges of R&D on gallium oxide power devices

著者名: 東脇 正高(情報通信研究機構),佐々木 公平(タムラ製作所),ワン マン ホイ(情報通信研究機構),上村 崇史(情報通信研究機構),倉又 朗人(タムラ製作所),山腰 茂伸(タムラ製作所)

著者名(英語): Masataka Higashiwaki(National Institute of Information and Communications Technology),Kohei Sasaki(Tamura Corporation),Man Hoi Wong(National Institute of Information and Communications Technology),Takafumi Kamimura(National Institute of Information and Communications Technology),Akito Kuramata(Tamura Corporation),Shigenobu Yamakoshi(Tamura Corporation)

キーワード: 酸化ガリウム|パワーデバイス|gallium oxide|power device

要約(日本語): 酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイス用途の新半導体材料として期待される優れた材料物性を有する。また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価、簡便に作製することができるという産業上の大きな魅力も合わせ持つ。これら2つの特徴から、Ga2O3は、SiC, GaNに続く新しいワイドギャップ半導体として注目を集めている。

要約(英語): Gallium oxide has excellent material properties for power device application. It is also attractive from an industrial viewpoint since large-size, high-quality wafers can be manufactured by using simple and low-cost methods. From these two features, it has been gathering attention as a new wide bandgap semiconductor following SiC and GaN.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,607 Kバイト