ダイヤモンド2次元正孔ガス層を利用した高耐圧FET

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD15034

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2015/03/04

タイトル(英語): High Voltage Diamond FET using 2 Dimensional Hole Gas

著者名: 川原田 洋(早稲田大学)

著者名(英語): Hiroshi Kawarada(Waseda University)

キーワード: ダイヤモンド|ＭＯＳＦＥＴ|ｐチャネル|高耐圧|２次元正孔ガス|広温領域|diamond |MOSFET|p-channel|high voltage|2DHG|wide temperature range

要約(日本語): ダイヤモンドの2次元正孔ガス層を利用したラテラルp型MOSFETにおいて耐圧1600V、ゲート幅で規格化した電流密度100mA/mmが得られた。また、10－673Kと広い温度範囲で電流が30％の変動幅に入り、安定している。ダイヤモンドの2次元正孔ガス層を利用したラテラルp型MOSFETにおいて耐圧1600V、ゲート幅で規格化した電流密度100mA/mmが得られた。また、10－673Kと広い温度範囲で電流が30％の変動幅に入り、安定している。チャネル移動度は150cm2/secが得られ、p型FETとしては高い電流密度が得られる理由である。

要約(英語): Lateral diamond MOSFETs using 2 dimensional hole gas exhibit breakdown voltage above 1600V with drain current density of 100mA/mm. The FETs operate from 10K to 673K within 30% variation in drain current density. The FETs operate from 10K to 673K within 30% variation in drain current density. Channel mobility is 150cm2/sec, which is the main reason for high current density in p-channel FET.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 869 Kバイト